Skip to main content
SpringerLink
Log in

Lithographie

  • Chapter
Technologie hochintegrierter Schaltungen

Part of the book series: Halbleiter-Elektronik ((HALBLEITER,volume 19))

  • 314 Accesses

Zusammenfassung

Die in der Siliziumtechnologie verwendeten Schichten (s. Kap. 3) müssen auf den Siliziumscheiben in eine Vielzahl von einzelnen Bereichen, z.B. Leiterbahnen unterteilt werden. Diese Strukturierung erfolgt heute fast durchweg mit Hilfe der lithographischen Technik (Abb. 4.1). Das wesentliche Merkmal dieser Technik ist eine strahlungsempfindliche Resistschicht, die in den gewünschten Bereichen so bestrahlt wird, daß in einem geeigneten Entwickler nur die bestrahlten (oder unbestrahlten) Bereiche entfernt werden. Das so entstehende Resistmuster dient dann als Maske bei einem darauffolgenden Prozeßschritt, z.B. bei einer Ätzung oder einer Ionenimplantation. Schließlich wird die Resistmaske wieder abgelöst. Die Resistmaske übt somit nur eine vorübergehende Funktion aus, ist also nicht Bestandteil der Integrierten Schaltung (Ausnahme s. Abb. 3.12.1 c).

This is a preview of subscription content, log in via an institution to check access.

Access this chapter

Log in via an institution
Chapter
USD 29.95
Price excludes VAT (USA)
  • Available as PDF
  • Read on any device
  • Instant download
  • Own it forever
eBook
USD 89.00
Price excludes VAT (USA)
  • Available as PDF
  • Read on any device
  • Instant download
  • Own it forever
Softcover Book
USD 119.99
Price excludes VAT (USA)
  • Compact, lightweight edition
  • Dispatched in 3 to 5 business days
  • Free shipping worldwide - see info
Hardcover Book
USD 169.99
Price excludes VAT (USA)
  • Durable hardcover edition
  • Dispatched in 3 to 5 business days
  • Free shipping worldwide - see info

Tax calculation will be finalised at checkout

Purchases are for personal use only

Institutional subscriptions

Preview

Unable to display preview. Download preview PDF.

Unable to display preview. Download preview PDF.

Literatur zu Kapitel 4

  1. Dill, F.H.; Neureuther, A.R.; Tuttle, J.A.; Walker, E.J.: IEEE Trans. Electron Devices ED-22 (1975) 456

    Article  Google Scholar 

  2. Oldham, W.G.; Nandgaonkar, S.N:, Neureuther, A.R.; O’Toole, M.M.: IEEE Trans. Electron Devices ED-26 (1979) 717

    Article  Google Scholar 

  3. Widmann, D.W.; Binder, H.: IEEE Trans. Electron Devices ED-22 (1975) 467

    Article  Google Scholar 

  4. Mader, L.; Widmann, D.; Oldham, W.G.: Proceedings Microcircuit Engineering (1981) 105

    Google Scholar 

  5. Sebald, M.; Berthold, J.; Beyer, M.; Leuschner, R.; Nölscher, C.; Scheler, U.; Sezi, R.; Ahne, H.; Birkle, S.: Proc. SPIE 1466 (1991) 227

    Article  Google Scholar 

  6. Tai, K.L.; Vadimsky, R.G.; Ong. E.: Proc. SPIE 333 (1982) 32

    Google Scholar 

  7. Hatzakis, M.: Solid State Technol. (Aug. 1981) 74

    Google Scholar 

  8. Roland, B.; Coopmans, F.: Extended Abstracts 18th Conf. Solid State Devices and Materials, Tokyo 1986, p. 33

    Google Scholar 

  9. Mac Donald, S.A.; Miller, R.D.; Willson, C.G.: Proc. Kodak Interface 1982, p. 93

    Google Scholar 

  10. Griffing, B.F.; West, P.R.: Extended Abstracts 16th Conf. Solid State Devices and Materials, Kobe 1984, p. 7

    Google Scholar 

  11. Herriot, D.R.; Collier, R.J.; Alles, D.S., Stafford, J.W.: IEEE Trans. Electron Devices ED-22 (1975) 385

    Article  Google Scholar 

  12. Firmenschrift der Firma Canon

    Google Scholar 

  13. Grassmann, A.; Prein, F.; Zell, T. et al.: Proc. SEMICON Europe, Geneva (April 95)

    Google Scholar 

  14. Markle, D.A.: Solid State Technology (Sept. 1984)

    Google Scholar 

  15. Cuthbert, J.D.: Solid State Technology (Aug. 1977) 59

    Google Scholar 

  16. Mader, L.; Lehner, N.: Proc. SPIE 2440 (1995)

    Google Scholar 

  17. Horiuchi, T.; Takeuchi, Y.; Matsuo, S.; Harada, K.: IEDM Digest of Techn. Papers (1993) 657

    Google Scholar 

  18. Shiraishi, N.; Hirukawa, S.; Takeuchi, Y.; Magome, N.: Microlithography World (July/August 1992)

    Google Scholar 

  19. Ferguson, R.; Ausschnitt, C.; Chang, I.; Farrel, T.; Hashimoto, K.; Liebmann, L.; Martino, R.; Maurer, W.: Symp. on VLSI Technol. (1994) 89

    Google Scholar 

  20. Jinbo, H.; Yamashita, Y.: IEDM Digest of Techn. Papers (1990) 285

    Google Scholar 

  21. Lin, B.J.: Solid State Technology (Jan. 1992) 43

    Google Scholar 

  22. Levenson, M.D.; Viswanathan, N. S.; Simpson, R.A.: IEEE Trans. Electron Devices ED-29 (1982) 1828

    Article  Google Scholar 

  23. Hershel, R.: Proc. SPIE 275 (1981) 23

    Google Scholar 

  24. Spears, D.L.; Smith, H.I.: Electron. Lett. 8 (1972) 102

    Article  Google Scholar 

  25. Tischer, P.: From Electronics to Microelectronics. Amsterdam: North-Holland 1980, p. 46

    Google Scholar 

  26. Taylor, G.N.: Solid State Technol. (June 1984) 124

    Google Scholar 

  27. Betz, H.; Chen, J.T.; Heuberger, A.; Asmussen, F.; Sotobayashi, H.; Schnabel, W.: J. Electrochem. Soc. 130 (1983) 180

    Article  Google Scholar 

  28. Heuberger, A.; Betz, H.: Proc. ESSDERC, München 1982, p. 121

    Google Scholar 

  29. Trinks, U.; Nolden, F.; Jahnke, A.: Nucl. Instrum. Methods 200 (1982) 475

    Article  Google Scholar 

  30. Heuberger, A.: Tagungsband NTG-Tagung Baden-Baden, März 1983, S. 105

    Google Scholar 

  31. Doemens, G: Proc. 11th CIRP Int. Seminar, June 1979

    Google Scholar 

  32. Roberts, E.: Solid State Technol. (Feb. 1984) 111

    Google Scholar 

  33. Kyser, D.F.; Viswanathan, N.S.: J. Vac. Sci. Technol. (1975) 1305

    Google Scholar 

  34. Greeneich, J.S.: Semiconductor Int. (April 1981) 159

    Google Scholar 

  35. Parikh, M.: J. Vac. Sci. Technol. 14 (1978) 931

    Article  Google Scholar 

  36. Speth, A.J.; Wilson, A.D.; Kern, A.; Chang, T.H.P.: J. Vac. Sci. Technol. 12 (1975) 1235

    Article  Google Scholar 

  37. Pfeiffer, H.C.: J. Vac. Sci. Technol. 15 (1978) 887

    Article  Google Scholar 

  38. Firmenschrift „The MEBES System“ der Firma Silicon Valley Group

    Google Scholar 

  39. Firmenschift „The AEBLE System“ der Firma Silicon Valley Group

    Google Scholar 

  40. Scott, J. P.: J. Vac. Sci. Technol. 15 (1978) 1016

    Article  Google Scholar 

  41. Lischke, B. et al.: Proc. Int. Conf. Microlithography, Paris 1977, p. 167

    Google Scholar 

  42. Friedrich, H.; Zeitler, H.U.; Bierhenke, H.: J. Electrochem. Soc. 124 (1977) 627

    Article  Google Scholar 

  43. Mader, H.: Lithography. In: Landolt-Börnstein. Neue Serie Bd. 17c, Technologie von Si, Ge und SiC. Berlin: Springer 1984, S. 250–280, 542–555

    Google Scholar 

  44. Stengl, G.; Löschner, H.; Muray, J.J.: Solid State Technol. (Feb. 1986) 119

    Google Scholar 

  45. Stengl, G.; Löschner, H.; Maurer, W.; Wolf, P.: J. Vac. Sci. Technol. B4, 1 (1986) 194

    Google Scholar 

  46. Miyauchi, E.; Morita, T.; Takamori, A.; Arimoto, H.; Bamba, H.; Hashimoto, H.: J. Vac. Sci. Technol. B4, 1 (1986) 189

    Google Scholar 

  47. Bartelt, J.L.: Solid State Technol. (May 1986) 215

    Google Scholar 

  48. Stengl, G.; Kaitna, R.; Löschner, H.; Rieder, R.; Wolf, P.; Sacher, R.: Proc. Microcircuit Eng. 81, Lausanne 1981, p. 345

    Google Scholar 

  49. Morimoto, H.; Onoda, H; Kato, T.: Sasaki, Y.; Saitoh, K.; Kato, T.: J. Vac. Sci. Technol. B4, 1 (1986) 205

    Google Scholar 

  50. Randall, J.N.; Stern, L.A.; Donnelly, J. P.: J. Vac. Sci. Technol. B4, 1 (1986) 201

    Google Scholar 

  51. McGillis, D.A., Lithography. In: Sze, S.M. (Ed.): VLSI Technology. New York: McGraw-Hill 1983, p. 297

    Google Scholar 

  52. Fichtner, W: Process Simulation. In: Sze, S.M. (Ed.): VLSI Technology. New York: McGraw-Hill 1983, p. 427

    Google Scholar 

  53. Brault, R.G.; Miller, L.J.: Polymer Eng. Sci. 20 (1980) 1064

    Article  Google Scholar 

  54. Karapiperis, K.; Adesida, L.; Lee, S.A.; Wolf, E.D.: J. Vac. Sci. Technol. 19 (1981) 1259

    Article  Google Scholar 

  55. Ryssel, H.: Proc. Microcircuit Eng., Lausanne, 1981

    Google Scholar 

  56. Stengl, G.; Kaitna, R.; Löschner, H.; Rieder, R.; Wolf, P.; Sacher, R.: J. Vac. Sci. Technol. 19 (1981) 1164

    Article  Google Scholar 

  57. Rieder, R.; Löschner, H.; Kaitna, R.; Sacher, R.; Stengl, G.; Wolf, P.: Private Communication 1981

    Google Scholar 

  58. Ryssel, H.; Glawischnig, H.: Springer Series in Electrophysics; Ion Implantation 11 (1983) 242

    Google Scholar 

  59. Mohondro, R.: Semiconductor Fabtech (1996) 177

    Google Scholar 

  60. Csepregi, L.; Iberl, F.; Eichinger, P.: Microcircuit Engineering 80, Amsterdam (1980)

    Google Scholar 

  61. Ryssel, H.; Prinke, G.; Bernt, H., Haberger, K.; Hoffmann K.: Appl. Phys. A27 (1982) 239

    Google Scholar 

Download references

Author information

Authors and Affiliations

  1. Bereich Halbleiter, Siemens AG, München/Berlin, Germany

    Dr.-Ing. Dietrich Widmann (Leiter der Technologieentwicklung)

  2. Fachbereich Elektrotechnik der Fachhochschule München, Vorstand im Institut für Technologie- und Wissenstransfer an der FH München, Germany

    Dr.-Ing. Hermann Mader (Professor)

  3. TELA Beteiligungsgesellschaft m.b.H., München, Germany

    Dr.-Ing. Hans Friedrich (Geschäftsführer)

Authors
  1. Dr.-Ing. Dietrich Widmann
    View author publications

    You can also search for this author in PubMed Google Scholar

  2. Dr.-Ing. Hermann Mader
    View author publications

    You can also search for this author in PubMed Google Scholar

  3. Dr.-Ing. Hans Friedrich
    View author publications

    You can also search for this author in PubMed Google Scholar

Rights and permissions

Reprints and permissions

Copyright information

© 1996 Springer-Verlag Berlin Heidelberg

About this chapter

Cite this chapter

Widmann, D., Mader, H., Friedrich, H. (1996). Lithographie. In: Technologie hochintegrierter Schaltungen. Halbleiter-Elektronik, vol 19. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-61415-6_4

Download citation

  • DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-642-61415-6_4

  • Publisher Name: Springer, Berlin, Heidelberg

  • Print ISBN: 978-3-642-64832-8

  • Online ISBN: 978-3-642-61415-6

  • eBook Packages: Springer Book Archive

Publish with us

Policies and ethics

Search

Navigation