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Industrie- und Leistungselektronik

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Handbuch Elektrische Energietechnik

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Zusammenfassung

Den prinzipiellen Aufbau einer Halbleiterdiode zeigt Bild 8.1–1. Sie besteht in der einfachsten Ausführung aus einem PN-Übergang. Bei positivem, konstantem Potential der Anode gegenüber der Kathode (U AK > 0) fließt der Durchlaßstrom i F, der von der angelegten Spannung und der in Reihe liegenden Impedanz Z (Last) bestimmt wird. Ist dagegen das Potential der Anode gegenüber der Kathode negativ (U AK < 0), fließt der Sperrstrom i R, der durch die Eigenschaften der Diode bestimmt wird und wesentlich von der Dotierung, der angelegten Spannung und der Diodentemperatur abhängt. Bild 8.1–2 zeigt schematisch den Zusammenhang zwischen der Spannung an der Diode (u F bzw. u R) und dem Strom (i F bzw. i R) in Durchlaß- und Sperrichtung. Die an der Diode auftretende Spannung in Durchlaßrichtung liegt bei Siliziumdioden und den in der Leistungselektronik auftretenden Strömen im Bereich 1…2,5 V. Bei einem Effektivwert des durch die Diode fließenden Stromes von z. B. 3 000 A und einer Spannung in Durchlaßrichtung von 2,5 V entsteht an der Diode eine Verlustleistung von 7,5 kW.

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  1. Fachgebiet Elektrische Maschinen und Antriebe, FH Frankfurt, Deutschland

    Prof. Dr.-Ing. Liviu Constantinescu-Simon

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  1. Fachgebiet Elektrische Maschinen und Antriebe, FH Frankfurt, Deutschland

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© 1997 Friedr. Vieweg & Sohn Verlagsgesellschaft mbH, Braunschweig/Wiesbaden

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Constantinescu-Simon, L. (1997). Industrie- und Leistungselektronik. In: Constantinescu-Simon, L. (eds) Handbuch Elektrische Energietechnik. Vieweg+Teubner Verlag. https://doi.org/10.1007/978-3-322-85061-4_8

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