Zusammenfassung
Bei der Realisierung der MOS-prozeßkompatiblen Fotodioden, deren Querschnitt in Abb. 1 dargestellt ist, wurde sowohl bei der n-Kanal- als auch bei der p-Kanal-Technologie die bei der Implantation der Depletion-Transistoren entstehenden flachen pn-übergänge mit Tiefen von 0,1 μm-0,3μm als aktive Zonen benutzt. Eine vor der Implantation aufgewachsene, die aktive Zone abdeckende SiO2-Schicht, gleichzeitig Gateoxid der Transistoren, dient als Antireflexionsschicht und passiviert die Oberflächenzustände. Die aktive Zone wird von einer Diffusion mit einer Tiefe von 1μm-2, 5μm, ausgeführt mit den Drain- und Source-Diffusionen der Transistoren, als Guard-Ring umgeben. Bei der n-Kanal- und der n-Wannen-CMOS-Technologie ist noch eine Feld implantation erforderlich, um die durch die Oxidladungen des Dickoxids an der Substratoberfläche entstehenden leitenden Inversionsschichten zu vermeiden. Ein Gitter von diffundierten Kontakten reduziert den Serienwiderstand der implantierten Schicht und ermöglicht kurze Schaltzeiten.
Access this chapter
Tax calculation will be finalised at checkout
Purchases are for personal use only
Preview
Unable to display preview. Download preview PDF.
Author information
Authors and Affiliations
Rights and permissions
Copyright information
© 1982 Westdeutscher Verlag GmbH, Opladen
About this chapter
Cite this chapter
Höfflinger, B., Zimmer, G., Graf, H.G. (1982). Beschreibung der Teststrukturen. In: Einfluß von Getterprozessen auf die Eigenschaften von ionenimplantierten integrierten Fotodioden. Forschungsberichte des Landes Nordrhein-Westfalen. VS Verlag für Sozialwissenschaften. https://doi.org/10.1007/978-3-322-87706-2_3
Download citation
DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-322-87706-2_3
Publisher Name: VS Verlag für Sozialwissenschaften
Print ISBN: 978-3-531-03133-0
Online ISBN: 978-3-322-87706-2
eBook Packages: Springer Book Archive