Zusammenfassung
Das Wort Transistor entstand aus der Bezeichnung „transfer resistor“. Es gibt mehrere Transistorvarianten. Bild 1 zeigt schematisch den Aufbau eines Sperrschicht-Feldeffekt-Transistors. Eine innere „Kanalzone” von n- oder p-leitendem Typ wird umgeben von einem Mantel aus dem Substrat und der damit verbundenen Gateschicht des entgegengesetzten Leitungstyps. Die Gatezone hat den Anschluß „Gate“ G, der für die Stromleitung vorgesehene Kanal hat die Anschlüsse „Source” S und „Drain“ D.
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Literatur
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Böhmer, E. (1990). Feldeffekt-Transistoren. In: Elemente der angewandten Elektronik. Viewegs Fachbücher der Technik. Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-322-88820-4_12
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DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-322-88820-4_12
Publisher Name: Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden
Print ISBN: 978-3-528-64090-3
Online ISBN: 978-3-322-88820-4
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