Übersicht

Zusammenfassung

Die Untersuchungen, über welche hier berichtet werden soll, knüpfen an den früheren Bericht über „die Berechnung des elektrischen Durchschlags durch feste und flüssige Isolatoren“ an¹⁾. In den dort geschilderten Untersuchungen waren die Grundlagen der Theorie soweit klargestellt worden, daß es aussichtsreich erscheint, numerische Angaben über bestimmte Isolierstoffe zu berechnen. Als Materialien wurden zunächst herausgegriffen die Alkalihalogenide sowie die für die Halbleitertechnik wichtigen Stoffe Germanium und Silizium. Diese Materialien kommen deswegen für eine Berechnung der Durchschlagsfestigkeit bevorzugt in Frage, da eine besonders große Zahl experimenteller und theoretischer Angaben über ihre Eigenschaften vorliegen. Bei den Alkalihalogeniden darf man sicher sein, daß als Durchschlagsmechanismus nur Stoßionisation in Frage kommt; bei Germanium und Silizium ist gerade die Art des Durchschlagsmechanismus fraglich. Dementsprechend läuft auch die Untersuchung für die beiderlei Materialgruppen in verschiedenen Richtungen: Bei den Alkalihalogeniden handelt es sich darum, nunmehr die Eigenschaften der in ihnen durch ein Feld bewegten Elektronen, vor allem ihre Bremsung durch die Gitterschwingungen, quantitativ zu erfassen und hieraus zahlenmäßige Angaben über die Durchschlagsfestigkeit zu gewinnen. Bei Germanium und Silizium dagegen hat man zunächst die vorliegenden experimentellen Angaben zu sichten und durch Vergleich mit den verschiedenerlei theoretischen Formeln festzustellen, ob der Durchschlag durch innere Feldemission oder durch Stoßionisation oder durch irgendeinen anderen Mechanismus verursacht wird.