Zusammenfassung
Grundsätzlicher Aufbau eines MOS-Kondensators
Grundlegend für das Verständnis der Eigenschaften des MOS- Transistors sind die Vorgänge im sogenannten MOS-Kondensator, der vom Aufbau mit dem Kanalgebiet eines MOS-Transistors identisch ist (s. Abb. 3.1). Er besteht aus dotierten Silizium, an dessen Oberfläche ein Isolator, üblicherweise ein Oxid aufgebracht ist. Auf diesem Oxid wird die Steuerelektrode, ein Metall oder ein anderer Leiter, angebracht. Diese Elektrode wird als Gate (engl. Tor), das darunter liegene Oxid als Gateoxid bezeichnet.
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© 2002 Springer Fachmedien Wiesbaden
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Giebel, T. (2002). Der MOS-Kondensator. In: Grundlagen der CMOS-Technologie. Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-663-07914-9_3
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DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-663-07914-9_3
Publisher Name: Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden
Print ISBN: 978-3-519-00350-2
Online ISBN: 978-3-663-07914-9
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